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[考博复习资料]天津理工大学2016博士研究生招生半导体器件物理考试大纲_考博_旭晨教育

 天津理工大学2016博士研究生招生半导体器件物理考试大纲

一、考试科目:半导体器件物理 (3001)

二、考试方式:

考试采用笔试形式,考试时间为180分钟,试卷满分为100分。

三、试卷结构与分数比重:

1.简答题

2.论述题

3.计算题

四、考查的知识范围:

七章 MIS二极管和电荷耦合器件

八章 MDS场效应晶体管

十二章 发光二极管和半导体激光器

十三章 光电探测器

十四章 太阳电池

其中第12-14章为重点部分,第7和8章为一般考试内容。

五、参考书目:

《半导体器件物理》(第3版)施敏 (S.M.SZE),伍国珏 (KWOK K.NG)等著,西安交通大学出版社





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